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三星电子:DRAM和NAND Flash将出现短缺

字号:TT 2023-10-10 10:01 作者:问舟 来源:IT之家

家电网-HEA.CN报道:参考IT之家此前报道,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据 TrendForce 分析师预测,NAND 闪存价格将在第 4 季度继续上涨,估计增长约 3% 至 8%,高于最初预测的 0% 至 5%。

据 DigiTimes,三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。

结果表明,各领域客户的存储库存调整已接近完成,半导体行业将从 2024 年起全面反弹。三星预计从 2024 年开始将会有部分地区的 DRAM 和 NAND Flash 供应出现短缺。

一位三星高管提到,大量半导体公司已经逐步完成库存调整,预计 NAND 业务的亏损将大幅减少。

证券业人士表示,考虑到库存逐步稳定,客户已开始接受三星提出的涨价要求;预计从第四季度开始,存储市场供需改善和价格上涨趋势将同时显现。

DigiTimes 指出,随着双十一促销进入热身阶段,下游厂商备货意愿增加,尤其在 NAND Flash 报价逐月上涨推动下,SSD 厂商开始准备补货,而市场也将有望回到 2021 年同期表现。

参考IT之家此前报道,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据 TrendForce 分析师预测,NAND 闪存价格将在第 4 季度继续上涨,估计增长约 3% 至 8%,高于最初预测的 0% 至 5%。

(家电网® HEA.CN)

责任编辑:编辑E组

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