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三星电子半导体亏损收窄,DRAM恢复盈利

字号:TT 2024-02-01 17:25 作者:王信豪 来源:中国电子报

家电网-HEA.CN报道:三星电子预计未来的市场需求将会聚焦在先进技术节点上,而公司将在2024年优先在这些方面进行投资。包括采用1b纳米级(第五代)的DDR5、通过增加TSV(硅通孔)容量来扩大HBM业务,用以满足生成式人工智能的性能和能力需求。

1月31日,三星电子发布了2023年第四季度财报。公司第四季度总营收为67.78万亿韩元(约合人民币3700亿元),环比增长0.6%,同比下降3.8%;营业利润为2.82万亿韩元(约合人民币150亿元),虽同比下降1.48%,但是环比小幅增长0.39%;净利润相较上一季度也略有增长。这也表明,在经历长期亏损之后,三星电子正在逐渐恢复盈利能力。

其中,三星电子DS部门(半导体事业部)第四季度总营收达21.69万亿韩元(约合人民币1200亿元),同比上升8%,营业利润的亏损程度则有所收窄。

DS部门内的存储器业务在该季度获得15.71万亿韩元(约合人民币850亿元)的营收额,同比增长29%。三星电子表示,随着PC和智能手机领域客户库存的消化以及对人工智能服务器的强劲需求,市场对存储产品的需求正在恢复。同时存储产品价格的上涨也刺激了下游客户的备货需求。在第四季度期间,三星电子加大了高附加值产品(如DDR5、HBM、FSD 4.0等)的销售力度,其中DRAM已经实现盈利。

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三星电子2023年第四季度营收情况,其中DS为半导体事业部(图片来源:三星电子)

三星电子预计未来的市场需求将会聚焦在先进技术节点上,而公司将在2024年优先在这些方面进行投资。包括采用1b纳米级(第五代)的DDR5、通过增加TSV(硅通孔)容量来扩大HBM业务,用以满足生成式人工智能的性能和能力需求。

在晶圆代工方面,三星电子称市场需求下降抑制了代工业务在2023年的营收表现。同时三星电子透露,其3nm和2nm工艺的GAA架构开发进展较为顺利,近期也收到了一份“2nm的人工智能加速器项目的订单”,其中还包括HBM和先进封装。

(家电网® HEA.CN)

责任编辑:编辑K组

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