家电网－HEA.CN报道：此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资，之前的 108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。
据国外媒体报道，三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。
三星的此次投资正值全球内存市场预计于明年反弹之际。据预计，由于供应有限，以及对5G设备和网络需求的不断上升，明年全球内存芯片市场将出现反弹。
三星是世界上最大的NAND闪存芯片制造商，NAND闪存芯片可以永久保存数据，普遍用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中。
三星2017年曾宣布，未来三年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。在此之前，三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元。
此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资，之前的 108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。
二期项目预计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。
三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国的SK Hynix、美国的美光科技和日本的东芝公司。此外，几家中国公司也曾试图进入该市场。
今年9月，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
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